请记住资料编号：GY10001-23080 资料价格:258元
1、抗蚀图案改善材料、形成抗蚀图案的方法以及制造半导体器件的方法
[简介]： 本套资料提供了抗蚀图案改善材料，其含有C4-11直链链烷二醇和水。本套资料还提供了用于形成抗蚀图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法。
2、抗蚀图案改善材料、形成抗蚀图案的方法以及制造半导体器件的方法
[简介]： 本套资料提供抗蚀油墨及通过抗蚀油墨的抗蚀图案形成方法。具体是通过具有适于反转印刷法形成细微抗蚀图案性质的抗蚀油墨以及通过该抗蚀油墨的抗蚀图案形成方法。抗蚀油墨，其含有由热熔融型树脂构成的树脂微粒，与不溶解该树...
3、抗蚀油墨及通过抗蚀油墨的抗蚀图案形成方法
[简介]： 本套资料提供一种感光性树脂组合物，其对波长350nm~410nm的光线的灵敏度非常高，分辨率、密合性、曝光后的印出性优异，并且可得到稳定的生产量，而且在溶剂中的溶解性良好，抗蚀剂中不容易产生析出物。本套资料的感光性树脂组合物...
4、感光性树脂组合物、使用其的光致抗蚀膜、抗蚀图案的形成方法及印刷电路板的制造方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种抗蚀墨和使用该抗蚀墨形成图案的方法，所述抗蚀墨具有优异的耐酸性和偶联性，由70重量％以下的溶剂、10重量％～15重量％的基础聚合物、10重量％～15重量％的增粘剂、3重量％以下的添加剂和1重量％～10重量％的偶联剂构...
5、抗蚀墨及使用该抗蚀墨形成图案的方法
[简介]： 本套资料提供所形成的抗蚀图案的析像度、密合性及抗蚀剂形状优异的感光性树脂组合物。所述感光性树脂组合物含有：粘合剂聚合物，其具有来自（甲基）丙烯酸的结构单元、和来自从由（EO）改性二环戊烯基（甲基）丙烯酸酯、（EO）改性二环...
6、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷配线板的制造方法
[简介]： 本套资料的感光性树脂组合物含有：分散度为1.6以下的粘合剂聚合物、含有具有氨酯键的（甲基）丙烯酸酯化合物的光聚合性化合物、以及光聚合引发剂。
7、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷配线板的制造方法
[简介]： 本套资料涉及一种感光性树脂组合物，其含有：分散度为1.6以下的粘合剂聚合物、光聚合性化合物以及含有具有1个或2个吖啶基的吖啶化合物的光聚合引发剂。
8、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷配线板的制造方法
[简介]： 本套资料提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突...
9、抗蚀图案增厚材料及抗蚀图案形成工艺和半导体器件及其制造工艺
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于制备抗蚀图案的方法，所述抗蚀剂组合物具有：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
10、抗蚀剂组合物和用于制备抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
11、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法。所述抗蚀剂组合物具有：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包括由式I表示的结构单元的树脂...
12、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
13、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法，所述抗蚀剂组合物具有：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
14、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包括由式I表示的结构单元的树脂...
15、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法，所述抗蚀剂组合物具有：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
16、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法，所述抗蚀剂组合物具有：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
17、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于制备抗蚀图案的方法，所述抗蚀剂组合物具有：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
18、抗蚀剂组合物和用于制备抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
19、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法。所述抗蚀剂组合物具有：树脂A1，其具有由式I表示的结构单元的；树脂A2，其具有由式II表示的结构单元并且在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于...
20、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
[简介]： 本套资料主要内容为抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法，所述抗蚀剂组合物具有：具有由式I表示的结构单元的树脂，在碱性水溶液中不可溶或难溶但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液并且不包含由式I表示的结构单元的树脂...
21、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
22、抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法
23、抗蚀剂组合物和用于制备抗蚀图案的方法
24、抗蚀覆盖膜形成材料、抗蚀图案形成方法、电子器件及其制造方法
25、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法、印刷线路板的制造方法
26、正型抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法
27、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法以及印刷布线板的制造方法
28、化合物、放射线敏感性组合物和抗蚀图案形成方法
29、感光性元件、抗蚀图案的形成方法、印刷电路布线板的制造方法及印刷电路布线板
30、感光性树脂组合物、感光性树脂层压体、抗蚀图案形成方法以及导体图案、印刷电路板、引线框、基材和半导体封装的制造方法
31、底层膜材料及多层抗蚀图案的形成方法
32、抗蚀材料及使用了该抗蚀材料的图案形成方法
33、环状化合物、其生产方法、放射线敏感性组合物和抗蚀图案形成方法
34、环状化合物、其生产方法、放射线敏感性组合物和抗蚀图案的形成方法
35、放射线敏感性树脂组合物、抗蚀图案形成方法、聚合物和聚合性化合物
36、环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法
37、环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法
38、环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法
39、环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法
40、感光性树脂组合物、感光性树脂层压体和抗蚀图案形成方法
41、抗蚀图案的形成方法及显影液
42、抗蚀图案的形成方法及显影液
43、制造抗蚀图案的方法
44、感光性树脂组合物、使用了该组合物的感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷配线板的制造方法
45、正型放射线敏感性组合物和抗蚀图案形成方法
46、用于光致抗蚀的保护涂层组合物和用其形成光致抗蚀图案的方法
47、感光性树脂组合物、感光性树脂层压体、抗蚀图案形成方法、以及印刷线路板、引线框、半导体封装体和凹凸基板的制造方法
48、感光性树脂组合物、感光性树脂层压体、抗蚀图案形成方法、以及印刷线路板、引线框、半导体封装体和凹凸基板的制造方法
49、新型具有含氟碳负离子结构的盐及其衍生物、光产酸剂以及使用其的抗蚀材料和图案形成方法
50、液浸曝光工序用抗蚀保护膜形成用材料、复合膜及抗蚀图案形成方法
51、用于形成光刻用下层膜的组合物和多层抗蚀图案的形成方法
52、光掩模坯料、抗蚀图案成形方法以及光掩模制备方法
53、抗蚀溶液以及使用其制作薄膜图案和液晶显示器件的方法
54、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法以及印刷电路板的制造方法
55、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法以及印刷电路板的制造方法
56、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷电路板的制造方法
57、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法以及印刷电路板的制造方法
58、精细图案形成方法及用于此法的抗蚀基板处理溶液
59、用于制造抗蚀图案和导体图案的方法
60、用于制造抗蚀图案和导体图案的方法
61、抗蚀图案的形成方法以及使用该方法的微细图案的形成方法以及液晶显示元件的制造方法
62、抗蚀图案的形成方法以及使用该方法的微细图案的形成方法以及液晶显示元件的制造方法
63、感光性元件、抗蚀图案形成方法及印刷电路板的制造方法
64、感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷电路板的制造方法
65、感光性树脂组合物、使用其的感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷电路板的制造方法
66、感光性树脂组合物、抗蚀图案的形成方法、印刷电路板的制造方法以及等离子显示屏用基板的制造方法
67、抗蚀图案形成方法和半导体装置的制造方法
68、抗蚀图案形成工艺和半导体器件及其制造方法
69、形成抗蚀图案的方法、半导体器件及其生产方法
70、活化能线固化型树脂组合物及抗蚀图案的形成方法
71、正型抗蚀剂组合物的制备方法、正型抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
72、化学放大型抗蚀材料及使用了它的图案形成方法
73、感光性树脂组合物、以及使用其的感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷电路板的制造方法
74、正型抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
75、浸液曝光用抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
76、光蚀刻用清洗液及抗蚀图案的形成方法
77、光蚀刻用显影液组合物与抗蚀图案的形成方法
78、光蚀刻用冲洗液和抗蚀图案形成方法
79、高分子化合物、酸发生剂、正型抗蚀剂组合物、和抗蚀图案形成方法
80、抗蚀材料以及图案形成方法
81、抗蚀材料以及图案形成方法
82、抗蚀材料以及图案形成方法
83、抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液
84、抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法
85、高分子化合物、含有该高分子化合物的光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案形成方法
86、化学放大型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂层层叠体、光致抗蚀剂组合物的制造方法、光致抗蚀图案的制造方法以及连接端子的制造方法
87、抗蚀图案的剥离方法
88、排出喷嘴式涂敷法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
89、正型抗蚀剂组合物和形成抗蚀图案的方法
90、排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
91、磺酰胺化合物、高分子化合物、抗蚀材料及图案形成方法
92、抗蚀剂组合物层压材料和形成抗蚀图案的方法
93、正型抗蚀剂组合物及使用其形成抗蚀图案的方法
94、正型抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
95、抗蚀剂用显影剂组合物和形成抗蚀图案的方法
96、正型抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
97、正型抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
98、化学增幅型正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
99、系统LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
100、化学增幅型正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
101、排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
102、排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
103、正型抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
104、系统LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
105、用于光敏组合物的显影液和形成图案化抗蚀膜的方法
106、光致抗蚀剂组合物和抗蚀图案的形成方法
107、正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
108、形成抗蚀图案的方法、正型抗蚀剂组合物和层状产品
109、平版印刷用冲洗液以及用其形成抗蚀图案的方法
110、正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
111、倒锥形抗蚀图案的形成方法
112、抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法
113、通过部分刻蚀图案化抗反射涂层层的方法
114、负型图案形成方法及抗蚀剂图案
115、盐、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
116、硅化合物、缩合物和使用了其的抗蚀剂组合物、以及使用其的图案形成方法
117、盐、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
118、盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法
119、盐、光致抗蚀剂组合物及用于制备光致抗蚀剂图案的方法
120、感光性树脂组合物、感光性元件及抗蚀剂图案的形成方法
121、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
122、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
123、盐，光致抗蚀剂组合物，以及用于制备光致抗蚀剂图案的方法
124、盐，光致抗蚀剂组合物，以及用于制备光致抗蚀剂图案的方法
125、抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法
126、形成抗反射薄膜的组合物，层状产品，和抗蚀剂图案的形成方法
127、光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法
128、光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法
129、抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
130、聚合物光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法
131、聚合物光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法
132、单体聚合物光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法
133、聚合物光致抗蚀剂组合物和光刻图案的形成方法
134、抗蚀剂图案涂布剂和使用其的抗蚀剂图案形成方法
135、用于负显影的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
136、光刻技术用共聚物及其制造方法，抗蚀剂组合物，形成图案的基板的制造方法，共聚物的评价方法，共聚物组成解析方法
137、抗蚀剂图案计算方法
138、用于从离子注入的图案化光致抗蚀剂晶片去除底部抗反射涂层的组合物
139、聚合物、化学增幅负抗蚀剂组合物和图案形成方法
140、功能梯度型无机抗蚀剂、带有功能梯度型无机抗蚀剂的基板、带有功能梯度型无机抗蚀剂的圆筒基材、功能梯度型无机抗蚀剂的形成方法和微细图案形成方法、以及无机抗蚀剂和其制造方法
141、用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法
142、用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法
143、光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法
144、负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法
145、聚合物、化学放大正性抗蚀剂组合物和图案形成方法
146、化学放大负性抗蚀剂组合物和图案形成方法
147、图案形成方法及抗蚀剂组成物
148、用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物和图案化方法
149、化学放大正性抗蚀剂组合物和图案形成方法
150、用于EB或EUV平版印刷的化学放大负性抗蚀剂组合物和图案化方法
151、包括图案硬化步骤的用于缩小光致抗蚀剂图案之间的尺寸的工艺
152、负性抗蚀剂组合物和形成图案的方法
153、用于制备光致抗蚀剂图案的方法
154、树脂，抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
155、化合物树脂抗蚀剂组合物和用于制备抗蚀剂图案的方法
156、放射线敏感性树脂组合物、聚合物及抗蚀剂图案形成方法
157、图案形成方法和半导体装置的制造方法、以及抗蚀剂图案的被覆层的形成材料
158、用于制备光致抗蚀剂图案的方法
159、光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，以及使用该组合物的抗蚀剂膜和图案形成方法
160、用于除去光致抗蚀剂的组合物及利用其形成半导体图案的方法
161、化学放大型抗蚀剂组合物和图案形成方法
162、化学放大型抗蚀剂组合物和图案形成方法
163、用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法
164、含氟化合物、含氟高分子化合物、抗蚀剂组合物、顶涂层组合物和图案形成方法
165、抗蚀剂溶液以及使用该抗蚀剂溶液形成图案的方法
166、用于形成抗蚀剂图案的方法和用于制造半导体器件的方法
167、减轻双曝光工艺中的抗蚀剂图案关键尺寸变化的方法
168、抗蚀剂图案的形成方法以及设备
169、抗蚀剂图案的形成方法以及设备
170、抗蚀剂图案的形成方法
171、聚合物或抗蚀剂图案、以及金属膜图案、金属图案和使用图案的塑料模具及其制造方法
172、化学放大型光致抗蚀剂组合物和形成图案的方法
173、感光性树脂组合物、以及使用了该组合物的感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法和印刷线路板的制造方法
174、感光性树脂组合物、以及使用了该组合物的感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法和印刷线路板的制造方法
175、修整光致抗蚀剂图案的方法
176、肟酯化合物、*基聚合引发剂、聚合性组合物、负型抗蚀剂以及图像图案
177、具有聚合性阴离子的含氟磺酸盐类及其制造方法、含氟树脂、抗蚀剂组合物以及使用其的图案形成方法
178、放射线敏感性树脂组合物及抗蚀剂图案形成方法
179、等离子体处理方法及抗蚀剂图案的改性方法
180、用于在光致抗蚀剂图案上面涂覆的含水组合物
181、正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法及高分子化合物
